整流器

有大功率整流器和低功率整流器。耐压和频率高或低。
原则上，来自输入AC的DC输出被整流。以整流电流（100 mA）的大小为界，输出电流通常大于100 mA。
面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压为25伏至3000伏A至X共22档。分类如下：1硅半导体整流二极管2CZ型，2硅桥整流器QL型，3 2CLG型用于电视高压硅电抗器工作频率近100KHz。
晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在界面的两侧形成空间电荷层，并构建自建电场。当没有施加电压时，由p-n结两侧的载流子浓度差引起的扩散电流等于由自建电场引起的漂移电流，并且处于电平衡状态。
当外部被正向电压偏置时，外部电场和自建电场的相互抑制导致载流子的扩散电流增加以产生正向电流。当外部具有反向电压偏置时，外部电场和自建电场进一步增强，以形成反向饱和电流I0，其与某个反向电压范围内的反向偏置电压值无关。
当施加的反向电压高到一定程度时，pn结的空间电荷层中的电场强度达到临界值以产生载流子的倍增过程，其产生大量电子空穴对，并产生大的反向击穿电流。它被称为二极管的击穿现象。