单片机直接控制MOS的风险分析

MOS管是电压驱动的组件，通常用作较高功率的电子开关，以控制直流负载环路的接通和断开。 MOS管可以分为NMOS和PMOS，分别具有三个电极：1）栅极G; 2）来源S； 3）漏极D。
其中，栅极是控制端子，源极S和漏极D是输出端子。 MOS管的控制方法通过GS之间的电压VGS来控制MOS管的导通和截止。
NMOS和PMOS的控制方法不同，如下所述：NMOS控制方法Vth，NMOS导通，当单片机控制NMOS时，单片机输出高电平来控制NMOS管的导通，而当单片机输出低电平时，NMOS管关断。 。
控制电路如下图所示。 PMOS控制方法PMOS VGS单片机直接控制MOS管的应用风险单片机的电源为5V或3.3V，多数为3.3V，MOS管的Vth一般为（2-5） V，可以直接由单片机控制。
对于具有较强过电流能力的功率MOS晶体管，Vth的值可能会更大。此时，不能直接控制单片机。
实际上，为了使MOS管更稳定地工作，我们通常使用三极管来控制MOS管。由于三极管是一种流量控制设备，因此它更适合于单片机来驱动三极管。
下图是通过三极管控制NMOS的单片机的电路图。当单片机输出高电平时，晶体管导通，NMOS的G极低，NMOS截止。
当单片机输出低电平时，晶体管截止，G极高，NMOS导通。这样可以有效避免微控制器的输出电平不能达到VTH的情况。
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