硅基板LED

GaN在Si衬底上生长以制造LED蓝色芯片。

工艺流程：在Si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN / GaN多量子阱发光层→生长p型AIGaN层→生长p型GaN层→键合Ag反射层并形成p型欧姆接触电极→剥离基板并去除缓冲层→制作n型掺杂Si层→合金的欧姆接触电极→钝化→切割→测试→封装。

使用Thomas Swan CCS低压MOCVD系统在50mm si（111）衬底上生长GaN基MQW结构。

使用三甲基镓（TMGa）作为Ga源，三甲基铝（TMAI）作为Al源，三甲基铟（TMIn）作为In源，氨（NH3）作为N源，硅烷（SiH4）和二茂铁镁（CP2Mg）用作n型和p型掺杂剂。

首先，在Si（111）衬底上外延生长AlN缓冲层，然后在n型GaN层，InGaN / GaN多量子阱发光层，p型AlGaN层和p型上外延生长AlN缓冲层。

依次生长GaN层，然后在p面上形成Ag镜。

然后形成p型欧姆接触，然后通过热压接合方法将外延层转移到导电基板上，然后用Si蚀刻溶液蚀刻Si衬底以去除n型GaN层，并使n型粗糙化然后，形成n型欧姆接触，从而完成垂直结构LED芯片的制造。

结构图如图1所示。

从结构图可以看出，Si衬底芯片是倒装芯片结构，从底部到顶部是背Au电极，Si衬底，键合金属，金属镜子（p欧姆电极），GaN外延层，粗糙表面和Au电极。

结构芯片的电流是垂直的，基板具有高导热率和高可靠性;发光层的背面为金属镜，表面结构粗糙，光提取效率高。

基于GaN的LED在蓝宝石衬底上的成功商业化为在硅衬底上开发GaN基衬底奠定了基础。

然而，仍有许多值得研究的问题，例如足够厚的无裂缝薄膜生长和改善的晶体质量。

基于Si衬底的GaN的制造具有广泛的应用前景。

据信，通过进一步优化工艺，高亮度，高功率，低成本的Si衬底GaN基投资市场只是时间问题。

最近，以国际金融公司（IFC）为首的投资机构向京能光电增加了55万美元的资金。

这一事件在LED行业中仍然非常引人注目。

国际金融公司是一家国际知名的融资公司，京能光电由于其原有的中国硅基板LED技术而在业界处于特殊地位。

据了解，此次融资的目的是扩大生产，但投资者并没有明确表明业务的关键扩张。

由于晶体能源目前正在推进硅基板LED的高功率照明技术，因此它也在关注大尺寸背光市场。

据了解，目前大尺寸背光市场中晶体能源所使用的技术主要是蓝宝石衬底LED技术。

电视背光市场有其独特之处。

LED用作背光源，芯片尺寸中等。

目前，大陆没有LED芯片公司已成功进入大尺寸背光市场。

在今年9月举行的全国LED产业大会上，南昌大学蒋凤仪教授曾指出，硅基板LED的优势是“一大一小”。

大指的是大功率照明芯片，小指的是在显示成像领域中使用的小尺寸芯片。

目前，中型芯片在背光市场中的应用并没有明显的优势。

作为一家公司，Crystal Energy希望使用蓝宝石LED技术进入电视背光市场是可以理解的。

然而，晶体能量的优势是硅衬底LED的先发优势。

如果公司放慢硅基板LED的发展和工业化速度，无论晶能公司本身还是国家（中国的LED产业发展），它都可能失去市场机会。

从投资的角度来看，这种融资对硅基板LED技术的发展和产业化有一定的推动作用，但它有其优缺点。

对于高科技的融资，这不是一件坏事。

然而，海外注入中国原创技术是对需要时间的祝福的考验。

机构融资是一把双刃剑，具有一定的垄断地位。

事实上，它不利于中国原始技术的辐射和推广。

不可否认的是，风险投资基金在促进技术发展和工业化的同时，也限制了这项技术在中国的辐射和推广。

当引入海外风险投资时，随后产生了一系列问题，原始决策者没有想到这些问题。

从管理角度来看，公司在不同的发展阶段使用不同的管理理念。

不可否认的是，京能仍然是一家小公司，利用大公司的管理结构，导致效率低下，包括管理效率，研发效率和生产效率。

目前，晶体能量的运行模式不利于硅基板LED技术的发展。

与此同时，国家对这项原创技术的支持和关注还不够。

目前，三星等主要国际公司以及飞利浦，欧司朗，CREE等LED巨头都加大了对硅基板LED技术的研发力度。

如果我们此时不注意它，我们将失去我们已经拥有的第一波。

优点。

无论是从企业角度还是从国家角度来看，加速中国原创技术的发展迫在眉睫。

现在是时候考虑如何在国家层面做大做强的原创技术的产业化，而不仅仅局限于江西，南昌和京能光电子公司。

希望京能光电能够在中国大陆上开花结果，将中国的原创技术推向世界，为人类照明事业做出贡献。