MOS管和IGBT管的详细说明，如果不看，会损失很多！

在电子电路中，经常出现MOS管和IGBT管。

它们可用作开关元件。

MOS管和IGBT管的外观和特性参数相似。

为什么有些电路使用MOS管？某些电路使用IGBT管？让我们看一下MOS管和IGBT管之间的区别！什么是MOS管？场效应晶体管有两种主要类型：结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOS管）。

MOS管是MOSFET。

中文全称是金属氧化物半导体场效应晶体管。

由于此场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此也称为绝缘栅场效应管。

MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型。

P信道的耗尽型和增强型四大类。

▲MOSFET的类型和电路符号一些MOSFET的内部有一个二极管，它是一个体二极管，或者是一个寄生二极管或一个续流二极管。

寄生二极管的作用有两种解释：1. MOSFET的寄生二极管用于防止VDD过压时MOSFET烧坏，因为在过压损坏二极管之前，二极管首先会击穿击穿电压。

MOSFET。

，将大电流引向地面，以防止MOS管烧毁。

2.反向连接MOS管的源极和漏极时，请防止MOS管烧毁。

当电路具有反向感应电压时，它还可以提供反向感应电压的路径，以避免MOS管因反向感应电压击穿。

。

MOSFET具有高输入阻抗，快速开关速度，良好的热稳定性和电压控制电流的特性。

在电路中，它可以用作放大器，电子开关和其他用途。

什么是IGBT？绝缘栅双极晶体管IGBT（绝缘栅双极晶体管）是由晶体管和MOS管组成的复合半导体器件。

IGBT作为一种新型的电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，电流大的特点。

它已被广泛用于各种电子电路中。

到目前为止，IGBT的电路符号尚未统一。

在绘制示意图时，通常使用三极管和MOS管的符号。

此时，可以根据示意图上标记的模型判断是IGBT还是MOS管。

同时，请注意IGBT是否具有体二极管。

在图表上未标记的事实并不意味着它不存在。

除非官方信息特别声明，否则将存在此二极管。

IGBT内部的体二极管不是寄生的，而是经过专门设置以保护IGBT的脆弱反向耐受电压，也称为FWD（续流二极管）。

判断IGBT内部是否存在体二极管并不难。

您可以使用万用表测量IGBT的C极和E极。

如果IGBT良好并且C和E极的测得电阻值是无限的，则意味着IGBT没有体二极管。

IGBT非常适合诸如交流电动机，变频器，开关电源，照明电路，牵引驱动器和其他领域的应用。

MOS管和IGBT的结构特征MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

通过在MOSFET的漏极上添加一层来构造IGBT。

IGBT的理想等效电路如下图所示。

IGBT实际上是MOSFET和晶体管的组合。

MOSFET具有高导通电阻的缺点，但IGBT克服了这一缺点，而IGBT在高电压下仍具有低导通电阻。

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另外，对于功率相似的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET慢，这是因为IGBT具有关断尾部时间。

由于IGBT的关断尾端时间长，死区时间会更长，这会影响开关频率。

选择MOS管还是IGBT？在电路中，选择MOS管作为功率开关管还是IGBT管是工程师经常遇到的问题。

如果考虑系统电压，电流，开关功率和其他因素，可以总结出以下几点：下图显示了两者的使用条件。

阴影区域表示可以同时使用MOSFET和IGBT。

“？”表示当前进程无法达到的级别。

通常，MOSFET的优势在于它具有良好的高频特性，并且其工作频率可以达到数百kHz甚至高达MHz。

缺点是在高电压和大电流情况下导通电阻很大。

在低导通电阻和高耐压条件下具有优异的性能