英飞凌推出采用TO-247封装的TRENCHSTOP™IGBT7技术

[2020年9月29日，德国慕尼黑]在采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术推出之后，英飞凌科技股份公司最近推出了基于650 V TO-247电压的TRENCHSTOP封装的业界领先的分立封装IGBT7技术。

新的TRENCHSTOP产品系列包括20 A，30 A，40 A，50 A和75 A的电流等级。

它可以用来替代上一代技术，也可以与上一代技术并行使用。

该版本的IGBT7特别适用于工业电机驱动，功率因数校正，光伏发电和不间断电源等应用。

得益于新的微沟槽技术，TRENCHSTOP IGBT7芯片的静态损耗得以大大降低。

在相同的电流水平下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的导通电压可以降低10％。

这大大降低了应用中的损耗，尤其是通常以中等开关频率运行的工业驱动器。

IGBT T7技术的饱和电压（V CE（sat））非常低，具有发射极控制功能的第七代（EC7）二极管可将二极管的正向压降（VF）降低150 mV，并且在同时提高反向恢复的柔软度。

TRENCHSTOP IGBT7器件具有出色的可控制性和出色的抗电磁干扰性能。

可以轻松调整以实现特定于应用的最佳dv / dt和开关损耗。

650V TRENCHSTOP IGBT7具有应用所需的短路电阻。

此外，它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB（高压，高湿度，高温反向偏置）测试，证明该器件在普通工业应用的高湿度环境中具有良好的耐久性。

可用性650 V TRENCHSTOP IGBT7分立器件现已可订购。